采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19501KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：217W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3980pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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ECCN：EAR99
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生产批次：{"MI+"：684}
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阈值电压：3.2V@250µA
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