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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7380TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：73mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V€1000pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K41HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M41GZETB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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