品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG90N08P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:3.95nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:3.95nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:5960pF@40V
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
栅极电荷:85nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:146W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: