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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订358个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订358个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MINOS Mosfet场效应管 MPG90N08P 起订12个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG90N08P 起订12个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG90N08P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:85nC@10V

    输入电容:3.95nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订375个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订375个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 IRFB3607 起订12个装
    MINOS Mosfet场效应管 IRFB3607 起订12个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB3607

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:85nC@10V

    输入电容:3.95nF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:210pF@25V

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H800NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H800NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@330µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@40V

    连续漏极电流:28A€203A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:146W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5960pF@40V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP053N08B-F102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDP053N08B-F102

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:5960pF@40V

    导通电阻:5.3mΩ@75A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:75A

    栅极电荷:85nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    功率:146W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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