包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9.13nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,55A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86363-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10000pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: