品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
栅极电荷:18nC@10V
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:150℃
输入电容:1600pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:13.3mΩ@9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: