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    漏源电压: 80V
    连续漏极电流: 150A
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60061EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60061EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP60061EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:9600pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7820pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,6V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":26700,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":26700,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7820pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,6V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7820pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,6V

    漏源电压:80V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10680pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订10个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7820pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,6V

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    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60020E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60020E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP60020E-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:151.2nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:150A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.8mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-80YSFX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-80YSFX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:294W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7227pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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