品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8894pF@50V
连续漏极电流:270A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
功率:6W€250W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:270A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8894pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
功率:6W€250W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:270A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8894pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
功率:6W€250W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:270A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8.237nF@40V
连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
导通电阻:1.5mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
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反向传输电容:152pF@40V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
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类型:1个N沟道
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品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
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类型:1个N沟道
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漏源电压:80V
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品牌:MOT
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT8120T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:138nC@10V
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连续漏极电流:280A
类型:1个N沟道
反向传输电容:152pF@40V
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包装清单:商品主体 * 1
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