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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：237.5W
阈值电压：2.9V@479μA
栅极电荷：121nC@10V
输入电容：7.675nF@40V
连续漏极电流：241.3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@40V
导通电阻：1.29mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：237.5W
阈值电压：2.9V@479μA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.675nF@40V
连续漏极电流：241.3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@40V
导通电阻：1.29mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
