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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
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规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
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阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
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功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
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导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
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