采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6621}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
连续漏极电流：11A
功率：1W
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
包装方式：袋
阈值电压：4.5V@1mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
功率：1W
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：6621}
规格型号(MPN)：FDMD8280
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@11A，10V
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：3050pF@40V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
