品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:36A€254A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.2W€156W
栅极电荷:273nC@10V
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:20720pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80080DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:273nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20720pF@40V
连续漏极电流:36A€254A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: