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    80V
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    漏源电压: 80V
    功率: 760mW
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:760mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,1.2A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-E3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:760mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:270mΩ@10V,1.2A

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-E3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

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    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:760mW

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:500pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2337DS-T1-E3 起订数500个
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