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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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类型：N沟道
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功率：4.2W€208W
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连续漏极电流：36A€255A
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漏源电压：80V
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功率：4.2W€208W
阈值电压：4V@490µA
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栅极电荷：125nC@10V
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输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：36A€255A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€258W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8220pF@40V
连续漏极电流：38A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
连续漏极电流：38A€273A
包装方式：卷带（TR）
功率：5W€258W
栅极电荷：125nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：8220pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
阈值电压：4V@490µA
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D5N08H
连续漏极电流：38A€273A
包装方式：卷带（TR）
功率：5W€258W
栅极电荷：125nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：8220pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
阈值电压：4V@490µA
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