品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
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功率:3.1W
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ECCN:EAR99
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输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
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功率:3.1W
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连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
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工作温度:-55℃~175℃
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