品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT700P08K
功率:125W
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:58mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14661,"16+":21,"22+":195,"23+":250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP052N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB049N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP052N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB049N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4950}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD046N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@65µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14661,"16+":21,"22+":195,"23+":250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP052N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@63µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3860pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB049N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT700P08T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:75nC@10V
输入电容:1.639nF@40V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:58mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: