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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：54.6mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8070.0
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：88A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，40A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@73μA
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5
功率：114W
阈值电压：3.8V@72μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N08S4-02
功率：277W
阈值电压：4V@220μA
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@10V，100A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3GATMA1
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，20A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ182EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：395W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：5.392nF@25V
连续漏极电流：210A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030N08NS5
功率：2.5W
阈值电压：3.8V@95μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8680A
功率：139W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：92A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@10V，40A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCACL110N08Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.29nF@40V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08YA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：152W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€60W
阈值电压：2.3V@29μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.86nF@40V
连续漏极电流：64A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W€1.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.254nF@40V
连续漏极电流：70A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC004N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W€127W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.98nF@40V
连续漏极电流：86A€136A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2800，"22+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08YA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：152W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R2-80YSEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8nF@40V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W€1.2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.254nF@40V
连续漏极电流：70A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8008LFGQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W€1.2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.254nF@40V
连续漏极电流：70A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC037N08NS5
功率：114W
阈值电压：3.8V@72μA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N08NS3G
功率：2.5W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.3mΩ@10V，33A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
