采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
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功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：300A
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连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
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规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：429W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
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功率：429W
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栅极电荷：188nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
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功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
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类型：N沟道
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销售单位：个
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功率：429W
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