品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL105N8F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3475pF@25V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: