品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
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输入电容:2.254nF@40V
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类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
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输入电容:2254pF@40V
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类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
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输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
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输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:16A€48A
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导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
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规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
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连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
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连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:17A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:16A€48A
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:2254pF@40V
栅极电荷:37.7nC@10V
功率:1W€23.5W
包装清单:商品主体 * 1
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