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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:17A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:17A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订30个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订2个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订100个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

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    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订10个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

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    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-13 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

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    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订1000个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

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    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:2254pF@40V

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    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

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    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

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    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

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    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

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    品牌:DIODES

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    功率:50W€1.2W

    阈值电压:2.5V@1mA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.254nF@40V

    连续漏极电流:70A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:17A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:17A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8008LFGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€50W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:17A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:16A€48A

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:2254pF@40V

    栅极电荷:37.7nC@10V

    功率:1W€23.5W

    包装清单:商品主体 * 1

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