品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":62731,"MI+":56470}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H864NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
连续漏极电流:7A€22A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: