品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€69.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2440pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA057N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4750pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC008N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2218A
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2289pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2218A
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: