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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订397个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订397个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC008N08C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€69.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2425pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA057N08N3GXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA057N08N3GXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA057N08N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4750pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R008NH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R008NH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-80YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-80YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC008N08C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ478DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA80EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA80EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2218A 起订10个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2218A 起订10个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2218A

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R008NH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R008NH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2218A 起订100个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2218A 起订100个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2218A

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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