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    80V
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    漏源电压: 80V
    类型: 2 N-通道(双)
    当前匹配商品:2
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB80EP-T1_GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB80EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLT1G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLT1G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    阈值电压:2V @ 96µA

    栅极电荷:32nC @ 10V

    输入电容:2002pF @ 40V

    连续漏极电流:14A(Ta),74A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:6.9 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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