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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250μA
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输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
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功率：760mW
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功率：760mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
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品牌：VISHAY
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工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
功率：760mW€2.5W
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：17nC@10V
工作温度：-50℃~+150℃
漏源电压：80V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：500pF@40V
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功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：17nC@10V
工作温度：-50℃~+150℃
漏源电压：80V
类型：1个P沟道
输入电容：500pF@40V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
功率：760mW
连续漏极电流：2.2A
栅极电荷：17nC@10V
工作温度：-50℃~+150℃
漏源电压：80V
类型：1个P沟道
输入电容：500pF@40V
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