采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW75NF20
工作温度：-50℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3260pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@37A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：2.61nF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：1.23nF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
