采购热线 400-661-9010
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3418DT2AG
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.2nC@4.5
输入电容：1.37nF@15V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：112pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：0.047
直流增益(hFE@Ic，Vce)：140@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
电阻比：1
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：760mW€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：270mΩ@10V，1.2A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
