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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86324
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86324
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：400，"22+"：1317}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86324
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86324
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功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"21+"：400，"22+"：1317}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86324
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：80V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
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