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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：43.5A€337A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：43.5A€337A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
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功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
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类型：N沟道
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功率：5W€300W
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输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：147nC@10V
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输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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功率：5W€300W
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导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
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连续漏极电流：43.5A€337A
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栅极电荷：147nC@10V
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