品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
连续漏极电流:13A€84A
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ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
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阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
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输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
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栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS5D9N08HTWG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@40V
连续漏极电流:13A€84A
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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