包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB017N08N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：223nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.1W€66W

阈值电压：3.5V@33µA

栅极电荷：25nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：1700pF@40V

连续漏极电流：10A€40A

类型：N沟道

导通电阻：12.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.1W€66W

阈值电压：3.5V@33µA

栅极电荷：25nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：1700pF@40V

连续漏极电流：10A€40A

类型：N沟道

导通电阻：12.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.1W€66W

阈值电压：3.5V@33µA

栅极电荷：25nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：1700pF@40V

连续漏极电流：10A€40A

类型：N沟道

导通电阻：12.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.1W€66W

阈值电压：3.5V@33µA

栅极电荷：25nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：1700pF@40V

连续漏极电流：10A€40A

类型：N沟道

导通电阻：12.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ123N08NS3 G

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.1W€66W

阈值电压：3.5V@33µA

栅极电荷：25nC@10V

包装方式：Reel

输入电容：1700pF@40V

连续漏极电流：10A€40A

类型：N沟道

导通电阻：12.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：231W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：231W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVTFS6H860NWFTAG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：46W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：21.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：5163，"23+"：9046}

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：231W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：6.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：6.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1