采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}
包装规格(MPQ)：1800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：200A
类型：MOSFET
导通电阻：3.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}
包装规格(MPQ)：1800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：200A
类型：MOSFET
导通电阻：3.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：226，"22+"：5675，"23+"：48110，"24+"：1613}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
