采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€73W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@40V
连续漏极电流：14.8A€64A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2816
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€53.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1109pF@40V
连续漏极电流：8.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT300N08S5N012ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：231nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16250pF@40V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H864NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€33W
阈值电压：4V@20µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@40V
连续漏极电流：6.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC28N08S5L230ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y7R8-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5347pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H848NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€73W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6591，"23+"：8740，"24+"：7297}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT014N08NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@40V
连续漏极电流：37A€331A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@150A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N08S405ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP024N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：3.8V@139µA
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6200pF@40V
连续漏极电流：28A€182A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R2-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@40V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5，"18+"：300，"22+"：350}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N08S403AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：4V@223µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：167nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11550pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
