采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9628}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9628}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9628}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
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栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
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栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：70A
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.8V@36µA
输入电容：2080pF@40V
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
