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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ980EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.995nF@40V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ980EL-T1_GE3
输入电容：1.995nF@40V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：80V
栅极电荷：36nC@10V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：36A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：13.5mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
