品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:260nC@10V
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:19600pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT1D3N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19600pF@40V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@36A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: