采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：1573pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：50A
导通电阻：17mΩ@10A，10V
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：1573pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：50A
导通电阻：17mΩ@10A，10V
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1573pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PSMN017-80BS，118
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
输入电容：1573pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：50A
导通电阻：17mΩ@10A，10V
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
