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    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2816

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1109pF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT700P08D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1591pF@40V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10552pF@25V

    连续漏极电流:329A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10552pF@25V

    连续漏极电流:329A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA96EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA96EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA90EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR120DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR120DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR120DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@40V

    连续漏极电流:24.7A€106A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.55mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订1250个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订1250个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2816

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1109pF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR120DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR120DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR120DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@40V

    连续漏极电流:24.7A€106A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.55mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ480E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ480E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8625pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA96EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA96EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ186ER-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10552pF@25V

    连续漏极电流:329A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB90EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB90EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB90EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-28_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6035pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT282L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT282L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT282L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€272.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7765pF@40V

    连续漏极电流:18.5A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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