采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3565，"22+"：9927，"23+"：6385}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3565，"22+"：9927，"23+"：6385}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.95nF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC007N08LCDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@130µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@40V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@22A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
