采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：985，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1516，"22+"：27020，"MI+"：1929}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：985，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
