采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB80NF55-08AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3740pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000，"09+"：41336，"10+"：2937，"11+"：55，"13+"：1864，"14+"：43}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：4615pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：985，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP220N04T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6820pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5710，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R2-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8420pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R2-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8420pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1516，"22+"：27020，"MI+"：1929}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40151EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@17.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€214W
阈值电压：2V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@40V
连续漏极电流：30A€224A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：85，"20+"：1350，"23+"：3454}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0330N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6320pF@40V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
