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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000，"09+"：41336，"10+"：2937，"11+"：55，"13+"：1864，"14+"：43}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：4615pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5710，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5710，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP36N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA36N60NF
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4245pF@100V
连续漏极电流：34.9A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000，"09+"：41336，"10+"：2937，"11+"：55，"13+"：1864，"14+"：43}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：4615pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5710，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000，"09+"：41336，"10+"：2937，"11+"：55，"13+"：1864，"14+"：43}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：4615pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000，"09+"：41336，"10+"：2937，"11+"：55，"13+"：1864，"14+"：43}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
输入电容：4615pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5710，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5710，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA36N60NF
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4245pF@100V
连续漏极电流：34.9A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP36N60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA01DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3490pF@15V
连续漏极电流：26A€60A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF36N60NT
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4785pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
