品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):SUM60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
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输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
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类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
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类型:N沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SUM60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
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工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
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工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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