采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP023N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP023N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP023N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP023N08N5AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
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输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
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连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N08N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@208µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D1N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€311W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：166nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@40V
连续漏极电流：41A€351A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
