采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB019N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.8V@194µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8700pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：1.95mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2196}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N2D5C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2D5N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6240pF@40V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@68A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
