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    漏源电压: 80V
    栅极电荷: 30nC@10V
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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1711pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3698}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4193,"23+":20160,"MI+":3557}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1711pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1711pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1711pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS128LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1.25nF@40V

    连续漏极电流:10.2A€33.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1711pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订724个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订724个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3698}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30ADN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N08S413ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1711pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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