品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4193,"23+":20160,"MI+":3557}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1295pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: