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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIS128LDN-T1-GE3
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功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
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导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：4.8W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SIS128LDN-T1-GE3
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栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
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功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SiS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：10.2A€33.7A
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导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SISS30ADN-T1-GE3
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功率：4.8W€57W
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1295pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：3.5V@250µA
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：30nC@10V
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