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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
输入电容：4.1nF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4100pF@40V
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阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4100pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
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栅极电荷：76nC@10V
连续漏极电流：35.8A€146A
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连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：76nC@10V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
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导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
功率：6.25W€104W
输入电容：4100pF@40V
阈值电压：4V@250µA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
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栅极电荷：76nC@10V
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输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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功率：6.25W€104W
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功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
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功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@40V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：76nC@10V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
功率：6.25W€104W
输入电容：4100pF@40V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR580DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：76nC@10V
连续漏极电流：35.8A€146A
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
功率：6.25W€104W
输入电容：4100pF@40V
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