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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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ECCN：EAR99
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
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栅极电荷：64nC@10V
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输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
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规格型号(MPN)：NVMFS6H818NLWFT1G
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类型：N沟道
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连续漏极电流：22A€135A
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
功率：3.8W€140W
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功率：3.8W€140W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
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包装方式：卷带（TR）
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