品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS128LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
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栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
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栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
连续漏极电流:10.2A€33.7A
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ECCN:EAR99
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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类型:1个N沟道
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@10A,10V
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功率:3.6W€39W
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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阈值电压:2.5V@250μA
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栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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输入电容:1.25nF@40V
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