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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

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    功率:3.1W€195W

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    栅极电荷:62nC@10V

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    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

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    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTTT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTTT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7920pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19503KCS

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    功率:188W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

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    连续漏极电流:100A

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    导通电阻:9.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

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    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTTT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTTT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7920pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

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    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7920pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7920pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7920pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19506KTT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KTT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

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    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KCS

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    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7820pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19501KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19501KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3980pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7820pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@100A,6V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KTT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KTT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTTT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19505KTTT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19505KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7920pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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