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    64 nC @ 10 V 5.2 nC @ 4.5 V 15 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V 3.6 nC @ 4.5 V 15.2nC @ 4.5V 61 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 7.8 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 4.2nC@4.5V 16 nC @ 4.5 V 8.1nC@4.5V 14.5nC@10V 3.8nC@4.5V 2.8nC@4.5V 19nC @ 4.5V 58 nC @ 10 V 9.4nC@10V 38 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V 2.7nC@4.5V 64 nC @ 4.5 V 22nC@10V 40nC@10V 4.1nC@4.5V 14.1 nC @ 4.5 V 28nC@4.5V 108nC@10V 8.3nC@4.5V 21 nC @ 10 V 30nC@4.5V 5.1nC@4.5V 3.8nC @ 45V,7.4nC @ 45V 12.5nC @ 4.5V 121 nC @ 4.5 V 195 nC @ 10 V 21nC@4.5V 7 nC @ 4.5 V 19nC@4.5V 11.6nC@4.5V 281pC@10V 34nC@10V 6nC@10V 4.3nC@10V 7.9nC @ 4.5V,19.3nC @ 4.5V 1.14nC@6V 10nC@4.5V 9.2nC@4.5V 57nC@10V 11.2nC@4.5V 18nC@10V 23nC@4.5V 76nC@10V 4.7nC@4.5V 6.3 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 10 V 18.3 nC @ 4.5 V 62nC@10V 98nC@10V 15.1nC@10V 28 nC @ 4.5 V 12nC@4.5V 32nC@4.5V 4nC@4.5V 156nC@10V 7.8nC@4.5V 4.3 nC @ 10 V 9.2 nC @ 4.5 V 2.5nC@4.5V 2.1nC @ 4.5V 1.2nC@4.5V 62 nC @ 10 V 81nC@10V 6nC@4.5V 140nC@10V 1.35nC@4.5V 15nC@10V 40 nC @ 10 V 9.7 nC @ 4.5 V 53nC@10V 33 nC @ 4.5 V 5.1nC@10V 8.4nC@4.5V 8.5 nC @ 4.5 V 960pC@4.5V 6.3nC@4.5V 25nC@10V 64nC@10V 101nC@10V 2.7 nC @ 4.5 V 19nC@10V 6.7nC@10V 3.1nC@4.5V 4.4nC@4.5V 36 nC @ 4.5 V 39 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 2.9nC@4.5V 5nC@4.5V 13.7nC @ 4.5V 14nC@10V 13.7nC@4.5V 7.7nC@4.5V 29nC@4.5V 195nC@10V 11 nC @ 4.5 V 22.3nC@10V 250 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V 5.6nC@10V 153nC@10V 98 nC @ 10 V 51 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 4.5 V 54 nC @ 10 V 4.6nC @ 4.5V 153 nC @ 10 V 7.2 nC @ 4.5 V 6.6nC@4.5V 7.5nC@4.5V 36nC@10V 11.25nC@10V 25nC@4.5V 3.2nC @ 4.5V 2.6nC@4.5V 22.2nC@10V 63nC@10V 14.6nC@4.5V 10.9nC@4.5V 1.3nC@4.5V 1.4nC@4.5V 17.4nC @ 4.5V 11.7 nC @ 4.5 V 4.6nC@4.5V 76 nC @ 10 V 88nC @ 4.5V 3.5nC@4.5V 35nC@10V 8.5nC@4.5V 5 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V 24.6nC@4.5V 50nC@10V 19 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 5.4nC @ 4.5V 43nC@10V 24nC@10V 5.4nC@4.5V 48nC@10V 913pC@4.5V 10.7nC@4.5V€25nC@4.5V 8.3nC @ 4.5V 910pC@4.5V 1.14nC@4.5V 3.7nC@4.5V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 1.35nC@6V 1.23nC@4.5V 959pC@4.5V 1.33nC@4.5V 3.9nC @ 4.5V 5.45nC@10V 132nC@10V 9.7nC@4.5V 11.1nC@4.5V 3.8nC@45V€7.4nC@45V 910pC@10V 1.42nC@4.5V 200pC@8V 75nC@4.5V 8.9 nC @ 4.5 V 2.1nC @ 10V 121nC@4.5V 2.8nC 64nC@4.5V 0.913nC@4.5V
    反向传输电容
    漏源电压
    输入电容
    漏源饱和电流
    品牌: TI
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI 结型场效应管 JFE150DCKT 起订250个装
    TI 结型场效应管 JFE150DCKT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:结型场效应管

    行业应用:消费,其它

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    类型:N通道

    ECCN:EAR99

    输入电容:24pF@5V

    栅源击穿电压:40V

    栅源截止电压:1.5V@0.1µA

    工作温度:-40℃~125℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源饱和电流:24mA@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87312Q3E 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87312Q3E 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87312Q3E

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:27A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:12pF@15V

    导通电阻:31mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTTT

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250μA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.06nF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3T 起订数1250个
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3T 起订数1250个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5μA

    栅极电荷:281pC@10V

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.19Ω@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTTT 起订数250个
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTTT 起订数250个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:140nC@10V

    输入电容:11.43nF@30V

    连续漏极电流:349A€200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87381P 起订数5000个
    TI Mosfet场效应管 CSD87381P 起订数5000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4W

    阈值电压:1.9V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    输入电容:564pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:16.3mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订数9000个
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4 起订数9000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    输入电容:190pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:240mΩ@8V,500mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19536KCS 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD19536KCS 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250μA

    栅极电荷:153nC@10V

    输入电容:12nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4T 起订数750个
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4T 起订数750个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:1.35nC@4.5V

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPIC5424LDW 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 TPIC5424LDW 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订374个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT 起订374个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":500}

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.8W(Ta)

    阈值电压:1.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862 pF @ 6 V

    连续漏极电流:1.6A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:17.1m옴 @ 1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订20个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订20个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),156W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 250µA

    栅极电荷:58 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.2 毫欧 @ 25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13383F4 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13383F4

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.25V@250μA

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18534KCS 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18534KCS 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534KCS

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.88nF@30V

    连续漏极电流:45A€100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPIC5223LD 起订147个装
    TI Mosfet场效应管 TPIC5223LD 起订147个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"99+":1177}

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPIC5223LD

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 74CBTLV3126PWR 起订数306个
    TI Mosfet场效应管 74CBTLV3126PWR 起订数306个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订数7500个
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订数7500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.8W(Ta),83W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:21 nC @ 10 V

    输入电容:1680 pF @ 50 V

    连续漏极电流:50A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18537NKCS 起订数50个
    TI Mosfet场效应管 CSD18537NKCS 起订数50个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:1.48nF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19536KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19536KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19536KCS

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250μA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250μA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@8V,4A

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250μA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@8V,4A

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 74CBTLV3126PWR 起订数1000个
    TI Mosfet场效应管 74CBTLV3126PWR 起订数1000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18533Q5A 起订数7500个
    TI Mosfet场效应管 CSD18533Q5A 起订数7500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:36nC@10V

    输入电容:2.75nF@30V

    连续漏极电流:17A€100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250μA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@8V,4A

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19536KTTT 起订数1250个
    TI Mosfet场效应管 CSD19536KTTT 起订数1250个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250μA

    栅极电荷:153nC@10V

    输入电容:12nF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2T 起订数1750个
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2T 起订数1750个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:20.2W€2.5W

    阈值电压:3.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@10V

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:13.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 TPIC5424LDW 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 TPIC5424LDW 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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