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    品牌: TI
    当前匹配商品:4400+
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    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18533Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18533Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18533Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€116W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2750pF@30V

    连续漏极电流:17A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KTTT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19506KTTT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19506KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25501F3T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25501F3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16340Q3T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16340Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75208W1015 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75208W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2P沟道(双)共源

    导通电阻:68mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19535KTT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19535KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7930pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16322Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16301Q2 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16301Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.55V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@12.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17585F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4T 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4T 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TI Mosfet场效应管 TPS1120DR 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 TPS1120DR 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPS1120DR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.17A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22204W 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22204W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:24.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@4V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD87502Q2 起订3000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87502Q2 起订3000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87502Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32.4mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:22.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD15380F3 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD15380F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.35V@2.5µA

    栅极电荷:0.281nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.5pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1190mΩ@100mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    TI Mosfet场效应管 CSD18503KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503KCS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:188W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3150pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25480F3 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25480F3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.91nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@400mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17585F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17585F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@900mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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