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    反向传输电容
    漏源电压
    输入电容
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    品牌: TI
    当前匹配商品:4300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86360Q5D 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86360Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@12.5

    连续漏极电流:50A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16407Q5 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16407Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2660pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMS 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMS 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87313DMS

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4290pF@15V

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@20V

    连续漏极电流:89A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75301W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD83325L 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD83325L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18532Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16570Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14000pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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